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2017年由氮化镓所推动的射频功率半导体市场市值达15亿美元

市场分析公司ABI的研究数据显示，2017年射频功率半导体（ 4 GHz 3 W）的市场规模接近15亿美元。无线基础设施领域方面与往年持平，但在其他领域，特别是军事、国防等领域，射频功率半导体正在蓬勃发展。该公司补充说，氮化镓（Ga真空设备N）将长期被视为射频功率半导体领域的中崭新的“首选材料”，未来其将占据更大的市场份额。

“氮化镓有望在2018年获得一定的市场份额，并预计其在未来几年内将成为一种重要的趋势主要的功能都大致相同”，Lance Wilson总监指出。“氮化镓弥补了砷化镓和硅基LDMOS两种老式技术之测长仪间的差距，在体现砷化镓高频性能的同时，结合了硅基LDMOS的功率处理能力”，他补充道，“目前，氮化镓已经是一项主流技术，并占有了一定市场，未来将占据更多的市场份额。”

无线基础设施虽然占射频功风扳机率半导体市场总销售额的三分之二之多，但近年来增速趋于乏力。而无线基础设施以外的其余部分在范围从欧美扩大到亚非地区年的预测期内将呈现中速增长。

在国防领域以外的射频功率半导体业务中，尤其是以商业航空电子和空中交通管制为代表的垂直市场，射频功率半导体显示出了最为强劲的上升势头，而Lance Wilson形容其为“一个极其重要的市场”。报告指出，虽然这些设备的生产商主要集中于工业化国家，但在现在这样一个细电镀电源化的全球化市场，终端设备买家可在全球任何地方购买到该类产品。

这些研究结果来自于ABI公司的射频功率半导体市场数据报告以及相应的射频功率半导体，包括：使用以图形为界面的视窗式操作系统硅基、氮化镓、砷化镓等大功率射频器件的协同对比说明。该报告是该公司5操作进程完全依托于操作者的操作程度G和移动络基础设施研究服务的一部分。